Până acum, panouri solare din siliciu monocristalin s-au dezvoltat rapid atât în ​​cercetare, cât și în industrializare.

Printre mulți factori care afectează celulele C-Si, îmbunătățirea calității plachetelor de siliciu face ca recombinarea în vrac să fie din ce în ce mai mică, iar dezvoltarea de noi straturi de pasivare și tehnologia de preparare a acestora reduce foarte mult recombinarea suprafeței. Dintre acestea, recombinarea electrodului metalic și contactul C-Si devine factorul cheie care afectează eficiența celulei și este considerat a fi ultimul factor limitator apropiat de eficiența limită teoretică. Pentru a reduce recombinarea la punctul de contact dintre metal și C-Si, pe de o parte, aria de contact direct dintre metal și C-Si este redusă prin deschiderea parțială a găurilor de pe spatele celulei (inclusiv PERC, PERL, și PERT etc.). Deși eficiența de conversie este de sau aproape de 25%, există încă un contact direct între metal și C-Si în aceste celule, procesul de deschidere din spate este complicat și va cauza deteriorarea materialului de siliciu la deschidere.

În plus, tehnica de deschidere locală face ca purtătorii să se abată de la traseul de migrare perpendicular pe suprafața de contact, dar și să se aglomereze la deschidere, ceea ce duce la pierderea factorului de umplere. Pe de altă parte, trebuie dezvoltate noi scheme de contact care să poată realiza atât pasivizarea excelentă a suprafeței, cât și separarea și transportul purtătorilor fără a fi nevoie de deschideri, adică contacte de pasivare selectivă pentru purtător. Această soluție poate realiza pasivarea întregii suprafețe a plachetei de siliciu (inclusiv zona de contact și zona fără contact), iar în acest moment, purtătorii sunt transport unidimensional între electrozi la ambele capete, ceea ce este benefic pentru obțineți un factor de umplere mai mare și apoi îmbunătățiți eficiența conversiei acestuia.